Wat brengen groene grondstoffen met zich mee voor verwerkingsscenario's van hoge-kwaliteit?
Extreem hoge hardheid, uitstekende thermische geleidbaarheid en uitstekende chemische inertie hebben groen siliciumcarbide naar een nieuw kwaliteitsniveau gebracht.
Groen siliciumcarbidezand wordt gebruikt voor het slijpen en polijsten van halfgeleiderwafels (Si, SiC, GaN), de verwerking van saffier- en LED-substraten, het nauwkeurig polijsten van optisch glas, keramische lenzen en kwartscomponenten, evenals de verwerking van harde en broze elektronische keramische componenten. Ten slotte zorgt de bereiding en verwerking van chemisch-mechanische polijstpoeders (CMP) en slurries ervoor dat groene siliciumcarbidezandmaterialen hun prestaties kunnen maximaliseren.
In de elektronica- en opto-elektronische industrie zijn precisieslijpen en polijsten van halfgeleiderwafels, saffiersubstraten, LED-substraten, optisch glas en keramische componenten essentiële en cruciale processen. Daarom is ons hoogwaardige, op maat gemaakte groene siliciumcarbide bijzonder waardevol. Onze deeltjes zijn strikt geclassificeerd volgens de FEPA F- of JIS-deeltjesgroottenormen en zijn scherp en gelijkmatig verdeeld, waardoor spiegelafwerkingen van Ra < 10 nm mogelijk zijn, zelfs bij CMP (chemisch mechanisch polijsten) en ultra-precisie leppen.
In de fotovoltaïsche industrie wordt groen siliciumcarbide gebruikt voor het snijden en vlakslijpen van enkel- en multikristallijne siliciumwafels. Het kan ook dienen als anodegeleidende additieven en thermische beheersmaterialen in lithium-ionbatterijen. In waterstofenergie- en brandstofcellen kan het worden gebruikt als reactorbekledingen en anodesteunen voor hoge temperaturen. Het dient ook als hightech materiaal voor het isoleren van keramiek en thermisch geleidende composietmaterialen in vermogenshalfgeleiders en nieuwe energievoertuigen. Het helpt zelfs bij de verwerking van slijtvast-bestendige afdichtingscomponenten en structurele versterkingsmaterialen bij de productie van windenergieapparatuur.
Het vermogen om zijn prestaties volledig te ontplooien is voornamelijk te danken aan de primaire samenstelling van SiC groter dan of gelijk aan 99,0%, wat resulteert in extreem hoge hardheid (Mohs-schaal 9,4–9,5), uitstekende thermische geleidbaarheid (120–150 W/m·K) en uitzonderlijke chemische stabiliteit, waardoor de stabiele werking van batterijmaterialen en energieapparaten op de lange termijn- in de nieuwe energiesector wordt gegarandeerd.
